簡要描述:RIE-802BCT深硅刻蝕設備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應室的量產用硅深孔系統(tǒng)。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán),以及高精度的晶圓對準器。該高性能系統(tǒng)能夠進行高長寬比加工(超過100)和低扇形加工,同時保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。
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1. 產品概述
RIE-802BCT是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應室的量產用硅深孔系統(tǒng)。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán),以及高精度的晶圓對準器。該高性能系統(tǒng)能夠進行高長寬比加工(超過100)和低扇形加工,同時保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。
2. 設備用途/原理
MEMS的制造(加速度傳感器、陀螺傳感器、壓力傳感器、執(zhí)行器等)。噴墨打印頭加工、通過TSV形成通硅。生產功率器件(超結MOSFET)、等離子切割。
3. 設備特點
高寬比處理,的等離子體發(fā)生器和反應器結構,在保持垂直蝕刻形狀的同時,實現(xiàn)了高寬比加工。低扇形加工,通過高速切換氣體,在保持蝕刻速度的同時,可以減少扇貝。2003年,Samco是日本獲得博世工藝許可的設備制造商。從那時起,我們建立的工藝庫就可以對各種形狀和材料進行加工。
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