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簡要描述:RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設(shè)備,可處理多達(dá)ø350毫米的載盤,用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應(yīng)用提供了堅(jiān)固可靠的硬件和工藝控制,具有較高的生產(chǎn)率,如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、電容器和射頻濾波器。
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1. 產(chǎn)品概述
RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設(shè)備,可處理多達(dá)?350毫米的載盤,用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應(yīng)用提供了堅(jiān)固可靠的硬件和的工藝控制,具有較高的生產(chǎn)率,如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、電容器和射頻濾波器。
2. 設(shè)備用途/原理
GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蝕刻,SiN和SiO2的蝕刻,電介質(zhì)和金屬的蝕刻,用于HBLED的PSS(圖案化藍(lán)寶石襯底)加工。
3. 設(shè)備特點(diǎn)
大加工范圍:?350 mm (?3" x 12, ?4" x 8, ?12" x 1)。先進(jìn)的ICP源HSTC™(Hyper Symmetrical Tornado Coil)能有效地提供均勻的高密度等離子體,并在大面積上具有優(yōu)異的蝕刻均勻性。對稱的疏散設(shè)計與TMP相結(jié)合,形成了高效的流動。優(yōu)化的氣體歧管,提供工藝氣體的均勻性。可選的光學(xué)/干涉式端點(diǎn)檢測系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)對多個工藝運(yùn)行的精確蝕刻深度控制。
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