當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > APIOS NE-950EX干法刻蝕設(shè)備
簡(jiǎn)要描述:干法刻蝕設(shè)備 APIOS NE-950EX對(duì)應(yīng)LED量產(chǎn)用的干法刻蝕設(shè)備?NE-950EX?相對(duì)我司以往設(shè)備實(shí)現(xiàn)了140%的生產(chǎn)力。是搭載了ICP高密度等離子源和愛(ài)發(fā)科自有的星型電的干法刻蝕設(shè)備。
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1 產(chǎn)品概述:
干法刻蝕是一種利用物理或物理與化學(xué)相結(jié)合的方法,通過(guò)高能氣體分子或離子束轟擊固體表面,使材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或物理濺射,從而去除不需要的部分,實(shí)現(xiàn)高精度的加工過(guò)程。干法刻蝕在半導(dǎo)體制造、微納加工、光學(xué)加工等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,是芯片制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2 設(shè)備用途:
干法刻蝕設(shè)備主要用于以下領(lǐng)域:
半導(dǎo)體制造:在半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中,干法刻蝕被用于去除硅片表面的多余材料,形成精確的電路圖形。這是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一,直接影響芯片的性能和良率。
微納加工:干法刻蝕機(jī)在微納加工中扮演著重要角色,能夠制作出微米和納米級(jí)別的精細(xì)結(jié)構(gòu),如微型天線、納米光子晶體、微結(jié)構(gòu)電極等。
光學(xué)加工:在光學(xué)領(lǐng)域,干法刻蝕機(jī)被用于制作高精度、高質(zhì)量的光學(xué)元件,如微型透鏡、激光反射面、偏振器件、光通訊器件等。
3 設(shè)備特點(diǎn)
干法刻蝕設(shè)備具有以下特點(diǎn):
高精度:干法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)微米甚至納米級(jí)別的加工精度,滿足高精度加工的需求。
高選擇比:干法刻蝕在刻蝕過(guò)程中能夠精確控制不同材料的刻蝕速率,實(shí)現(xiàn)高選擇比刻蝕,減少對(duì)其他材料的損傷。
各向異性好:干法刻蝕技術(shù)能夠產(chǎn)生垂直度高的側(cè)壁,有利于形成精確的圖形結(jié)構(gòu)。
刻蝕損傷?。合啾葷穹涛g,干法刻蝕在刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的損傷較小,有利于保護(hù)底層材料。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):
4inch晶圓可放置7片同時(shí)處理,6inch晶圓可實(shí)現(xiàn)3片同時(shí)處理,小尺寸晶圓方面,2inch晶圓可實(shí)現(xiàn)29片、3英寸可對(duì)應(yīng)12片同時(shí)處理。
•搭載了在化合物半導(dǎo)體域擁有600臺(tái)以上出貨實(shí)績(jī)的有磁場(chǎng)ICP(ISM)高密度等離子源。
•高生產(chǎn)性(比以提高140%)。
•為防止RF投入窗的污染搭載了愛(ài)發(fā)科星型電。
•貫徹Depo對(duì)策,實(shí)現(xiàn)了維護(hù)便利、長(zhǎng)期穩(wěn)定、高信賴性的硬件。
•擁有豐富的工藝應(yīng)用的干法刻蝕技術(shù)(GaN藍(lán)寶石、各種metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導(dǎo)體)。
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