原子層刻蝕

簡(jiǎn)要描述：ALE是一種先進(jìn)的刻蝕技術(shù)，可以針對(duì)較淺的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行出色的深度控制。隨著器件微結(jié)構(gòu)尺寸越來越小，要達(dá)到器件的更高性能可以通過ALE技術(shù)所具有的精度來實(shí)現(xiàn)。

在如今的先進(jìn)微電子器件制造中，高保真度的圖案轉(zhuǎn)移（刻蝕）是至關(guān)重要的。隨著特征尺寸縮小至亞10納米級(jí)別，以及新型器件采用超薄的二維材料，對(duì)原子尺度保真度的需求不斷增加。

原子層刻蝕(ALE)技術(shù)克服了傳統(tǒng)（連續(xù)）刻蝕技術(shù)在原子尺度上的局限

產(chǎn)品型號(hào)：PlasmaPro 100 ALE
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-08-12
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詳細(xì)介紹

工藝優(yōu)勢(shì)

可實(shí)現(xiàn)刻蝕層的高深度精度
最大可加工200 mm的晶圓，典型均勻度<±2%
利用先進(jìn)的技術(shù)對(duì)刻蝕深度進(jìn)行高度控制
對(duì)襯底的損害小
可與標(biāo)準(zhǔn)ICP結(jié)合使用

原子層刻蝕工藝

原子層刻蝕通常包括4個(gè)步驟的周期，根據(jù)需要可重復(fù)多次，以達(dá)到所需的刻蝕深度。以下是使用 Cl2/Ar進(jìn)行AlGaN刻蝕的ALE示例：

步驟 1) 對(duì)基底進(jìn)行刻蝕氣體的投放，刻蝕氣體吸附在刻蝕材料上并與之發(fā)生反應(yīng)。通常，刻蝕氣體經(jīng)等離子體解離以增強(qiáng)吸附速率。通過正確選擇投放氣體和參數(shù)，這個(gè)步驟可以實(shí)現(xiàn)自限制，即在吸附一層分子后化學(xué)投放停止。

步驟 2) 清除所有剩余的投放氣體

步驟 3) 用低能惰性離子轟擊表面，去除已發(fā)生反應(yīng)的表面層。如果離子的能量足以去除化學(xué)修飾層，但不足以（濺射）刻蝕下層塊狀材料，這可能是自限制。

步驟 4)清除腔室內(nèi)的刻蝕產(chǎn)物。