當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 2 PVD > DZ450高真空熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
簡要描述:高真空熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;樣品加熱控溫;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。該系統(tǒng)可與手套箱對接。熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi),通過對鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過程??稍诟哒婵障抡舭l(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜,廣泛應(yīng)用于物理,生物,化學(xué),材料,電子等領(lǐng)域。
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1.產(chǎn)品概述:
該設(shè)備主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng);真空測量系統(tǒng);蒸發(fā)源;樣品加熱控溫;電控系統(tǒng);配氣系統(tǒng)等部分組成。該系統(tǒng)可與手套箱對接。
2.設(shè)備用途:
熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi),通過對鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過程??稍诟哒婵障抡舭l(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜,廣泛應(yīng)用于物理,生物,化學(xué),材料,電子等域。蒸鍍薄膜種類:Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有機物等。
3.真空室:
真空室結(jié)構(gòu):方形開門
真空室尺寸:400×400×450mm
限真空度:≤6.0E-5Pa
沉積源:3個鎢舟、2個有機源
樣品尺寸,溫度:4寸,1片,高800℃
占地面積(長x寬x高):約2.5米×1.2米×1.8米
電控描述:全自動
工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤±5%
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