當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 1 光刻設(shè)備 > ELS-BODEN Σ電子束光刻機
簡要描述:ELS-BODEN Σ這是ELONIX自創(chuàng)業(yè)以來多年來一直致力于開發(fā)的新型號的電子束光刻機。 采用模塊系統(tǒng),可以自由組合加速電壓、腔室尺寸、傳輸機構(gòu)和防振臺,為每個應(yīng)用構(gòu)建佳單元。
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1 產(chǎn)品概述:
電子束光刻(E-beam Lithography,簡稱EBL或EBD)設(shè)備,是在電子顯微鏡基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種用于微電路研究和制造的曝光技術(shù)。它作為半導(dǎo)體微電子制造及納米科技的關(guān)鍵設(shè)備,主要通過高能量電子束與光刻膠的相互作用,實現(xiàn)高精度的曝光和圖形制作。電子束光刻設(shè)備主要包括電子光學(xué)系統(tǒng)、圖形發(fā)生器系統(tǒng)、真空系統(tǒng)以及高精度運動系統(tǒng)等核心組件。
2 設(shè)備用途:
電子束光刻設(shè)備具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,主要包括:
半導(dǎo)體制造:用于制作光刻掩模版,是半導(dǎo)體芯片制造中一部分。特別是在EUV光刻機掩模版的制作上,目前只能依賴于電子束光刻技術(shù)。
納米科學(xué)技術(shù)研究:由于電子束光刻具有的分辨率,它能夠制造出微米甚至亞微米級別的精細結(jié)構(gòu),因此在納米科技領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
集成電路制造:在集成電路的制造過程中,電子束光刻技術(shù)用于制作高精度、高密度的芯片結(jié)構(gòu),提高芯片的性能和可靠性。
3 設(shè)備特點
電子束光刻設(shè)備具有以下顯著特點:
高分辨率:相比于傳統(tǒng)光刻技術(shù),電子束光刻技術(shù)可以實現(xiàn)更高的分辨率,能夠制造出更精細的圖案和結(jié)構(gòu)。
高精度:電子束光刻設(shè)備具有制造精度,能夠滿足微納加工領(lǐng)域?qū)鹊膰栏褚蟆?/span>
靈活性:電子束光刻技術(shù)可以靈活曝光任意圖形,適應(yīng)不同形狀和尺寸的加工需求。
高速度:現(xiàn)代電子束光刻設(shè)備已經(jīng)實現(xiàn)了高速、連續(xù)的加工過程,大大提高了生產(chǎn)效率。
真空環(huán)境:設(shè)備中的真空系統(tǒng)提供了穩(wěn)定的真空環(huán)境,消除了空氣對加工過程的干擾,保證了設(shè)備的穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率。
4 技術(shù)參數(shù)和特點:
電子槍 | ZrO/W熱場發(fā)射型 | |||
加速電壓 | 50 kV | |||
光束電流 | 1 nA ~ 800 nA | |||
小光束直徑 | D 2.8 nm | |||
標(biāo)準寫場大小 | 1000 μm□ | |||
小/大寫場大小 | 小 100 μm 大(選項)3000 μm | |||
掃描頻率 | 大 400 MHz | |||
發(fā)射間距 | 小 0.2 nm | |||
大試樣尺寸 | 8" 晶片 / 12" 晶片 | |||
大繪圖區(qū)域 | 200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm | |||
輸送機構(gòu) | 單自動加載器 機器人裝載機 | |||
Software | elms •束流調(diào)整功能 •曝光文件功能 •圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換功能 •帳戶管理功能 •Python腳本 |
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