1. 產(chǎn)品概述：

Super-SPECTROS™ 200 是一套先進的有機薄膜沉積和金屬化系統(tǒng)，針對有機材料沉積進行了優(yōu)化。它能夠實現(xiàn)精確的薄膜沉積控制，可沉積多種材料，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、非晶硅等硅基薄膜，以及各種金屬薄膜，在半導體、光電等領域有廣泛應用 。

2. 設備應用：

· 半導體領域：用于半導體芯片制造過程中的薄膜沉積，如制作晶體管的柵極絕緣層、金屬互連層等，對提高芯片性能和集成度至關重要。例如在先進的邏輯芯片制造中，精確沉積的絕緣薄膜可確保晶體管之間的電隔離，金屬薄膜則用于實現(xiàn)芯片內(nèi)的電路連接。

· 光電領域：在有機發(fā)光二極管（OLED）制造中，可沉積有機發(fā)光材料和電極材料等，對于實現(xiàn)高質量的發(fā)光顯示效果意義重大。比如在 OLED 屏幕生產(chǎn)中，通過該系統(tǒng)精確控制有機薄膜的沉積，能保證發(fā)光層的均勻性和穩(wěn)定性，提升顯示品質。

· 科研領域：為高校和科研機構的材料研究、新型器件研發(fā)等提供了強大的實驗手段，助力科研人員探索新的材料體系和器件結構，推動相關領域的技術創(chuàng)新和發(fā)展。

3. 設備特點：

· 多源配置靈活：多達 12 個 LTE 信號源，并且有 1cc、10cc 或 35cc 等不同容量可供選擇，還配備多達 4 個熱蒸發(fā)源，可滿足多種材料和復雜結構的沉積需求，能實現(xiàn)對不同材料的精確控制沉積，為制備多功能、高性能的薄膜器件提供了基礎 1。

· 精確的沉積控制：具有自動基板、掩膜存儲和更換功能，以及基板快門，可確保在沉積過程中對基板的精準操作和保護，實現(xiàn)高質量、均勻性良好的薄膜沉積。例如在制備高精度的光學薄膜時，能保證薄膜厚度和光學性能的一致性 1。

· 工藝參數(shù)監(jiān)控與調(diào)節(jié)：通過高溫計端口實時監(jiān)測沉積過程中的溫度等參數(shù)，結合 KJLCEKLIPSE™控制軟件，實現(xiàn)基于配方的基于 PC 的系統(tǒng)控制，且速率控制分辨率可達 0.05 ?/s，能夠精確控制薄膜的生長速率和厚度等參數(shù)，滿足不同應用場景對薄膜性能的嚴格要求 1。

· 高效的真空系統(tǒng)：采用低溫泵高真空泵和 2 位閘閥，確保系統(tǒng)具有高真空度環(huán)境，有效減少雜質和氣體對沉積過程的影響，提高薄膜的質量和純度。例如在制備對純度要求高的半導體薄膜時，高真空環(huán)境可保證薄膜的電學性能和穩(wěn)定性 1。

· 創(chuàng)新的雙楔工具：KJC 雙楔工具可將單個基材轉換為多個基材，而無需打破真空或進行復雜的掩膜操作。這種方式減少了昂貴且長時間的研究時間，允許在幾天而不是幾個月內(nèi)完成大量的基材變化。此外，結合基板的旋轉 / 取向操作，可實現(xiàn)多種材料和厚度的組合沉積，極大地拓展了系統(tǒng)的應用靈活性和功能性 1。

4. 產(chǎn)品參數(shù)：

· 晶圓尺寸：可支持多種規(guī)格晶圓，具體支持情況未詳細說明，但通常能夠滿足常見的半導體晶圓尺寸需求。

· 源的類型和數(shù)量：多達 12 個 LTE 信號源，有不同容量選擇；多達 4 個熱蒸發(fā)源。

· 沉積速率控制：速率控制分辨率為 0.05 ?/s 。

· 真空系統(tǒng)：配備低溫泵高真空泵，確保高真空度環(huán)境；采用 2 位閘閥 。

· 溫度監(jiān)測與控制：具有高溫計端口，可實時監(jiān)測溫度，但具體的溫度控制范圍未給出。

· 軟件控制系統(tǒng)：采用 KJLCEKLIPSE™控制軟件，基于配方的基于 PC 的系統(tǒng)控制，方便用戶進行參數(shù)設置和工藝管理。

· 雙楔工具特性：可實現(xiàn)單個基材到多個基材的轉換，且能與基板旋轉 / 取向結合，實現(xiàn)多種復雜的沉積組合，但關于具體的尺寸、角度等參數(shù)未詳細說明。

· 實際參數(shù)可能會因設備的具體配置和定制需求而有所不同。