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Lorem® A 系列常規(guī) IBS 設備，由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性；載片臺的角度可調整，實現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，

Pangea®A系列常規(guī)IBS設備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性；載片臺的角度可調整，實現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，也適用于

LMEC-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設備，應用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復雜的金屬疊層，例如磁存儲器的磁隧道節(jié)（MTJ）、相變存儲器中的合金相變層、阻變存儲器中的阻變疊層。其副產物不易揮發(fā)，圖形化挑戰(zhàn)很大。 LMEC-300™ 反應離子刻蝕與離子束刻蝕協(xié)同工藝，可規(guī)避 RIE 路徑的側壁沾污問題，也可突破 IBS 路徑的工藝線寬局

滿足半導體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于SiO2，SiN，Polysilicon和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。

用于封裝領域中的光阻去除工藝，掩膜版清洗，OLED 領域中的光阻去除及蒸鍍后金屬剝離等工藝及化合物半導體領域中的光阻去除及蒸鍍后金屬剝離等工藝

用于先進封裝工藝過程中的晶圓去膠制程和金屬剝離制程。設備可搭載槽式浸泡單元、高壓噴淋或二流體噴淋去膠單元、清洗及干燥單元等工藝模塊，滿足各種品牌型號、各種厚度的正負性光阻去除及金屬剝離等工藝。具有藥液回收循環(huán)過濾再使用、金屬高效率回收等功能。