1.產(chǎn)品概述：

MA12是專為對(duì)準(zhǔn)和曝光300毫米以下方形襯底和晶圓而設(shè)計(jì)的，適合于工業(yè)研究和生產(chǎn)。憑借靈活處理和過程控制解決方案，本設(shè)備主要用于先進(jìn)封裝，包括3D圓晶級(jí)芯片尺寸封裝, 以及開發(fā)和生產(chǎn)敏感元件，如MEMS。。

2.產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：

一個(gè)涵蓋微觀到納米壓印的工具

能夠可靠地處理彎曲晶圓片和敏感材料

高的光均勻性

強(qiáng)大的工藝控制

增強(qiáng)的SUSS調(diào)平系統(tǒng)

占地面積小，增強(qiáng)了人機(jī)工程學(xué)特性

3.產(chǎn)品工藝：

頂面對(duì)準(zhǔn)：在光刻工藝中，只需對(duì)準(zhǔn)器件晶圓同側(cè)的結(jié)構(gòu)（例如再布線層、微凸點(diǎn) 等），用頂部對(duì)準(zhǔn)功能將掩模位置標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)晶圓位置標(biāo)記。 根據(jù)襯底的特性，這可以用存儲(chǔ)的晶圓位置數(shù)據(jù)或者用兩個(gè)現(xiàn)場(chǎng)照片 、SUSS MicroTec 開發(fā)的DirectAlign™ 直接對(duì)準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

背面對(duì)準(zhǔn)：應(yīng)用微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）、圓晶級(jí)封裝和三維集成的工藝，例如在接板上制造垂直通孔 (TSV)，需要與正面結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)的晶圓背面結(jié)構(gòu)。 此時(shí)常使用光學(xué)背面對(duì)準(zhǔn)。 集成攝像機(jī)系統(tǒng)采集掩模結(jié)構(gòu)和晶片背面結(jié)構(gòu)并將它們相互對(duì)準(zhǔn)。 由于晶圓在裝載掩模靶后被覆蓋，必須預(yù)先確定并存儲(chǔ)其位置。 這對(duì)整個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提出了特殊的要求。

提高對(duì)準(zhǔn)精度：當(dāng)對(duì)套刻精度有較高要求時(shí)，大大提升標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)功能。DirectAlign®，SüSS MicroTecs 圖像識(shí)別軟件附加功能，放棄圖片存儲(chǔ)系統(tǒng)中的結(jié)構(gòu)圖文件，取而代之的是訪問實(shí)況圖。結(jié)構(gòu)識(shí)別基于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) PatMax 且取得了優(yōu)異成績(jī)。因此，在 SUSS 掩模對(duì)準(zhǔn)器上用 Direct Align® 進(jìn)行頂面對(duì)準(zhǔn)時(shí)對(duì)準(zhǔn)精度可達(dá)到 0.5 微米。

晶圓和掩模輔助裝片：操作者輔助的系統(tǒng)，與人工晶圓把持的優(yōu)勢(shì)相結(jié)合，保持了高度的工藝可控與可靠性。