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簡(jiǎn)要描述:FLOURIS 201系列 8英寸立式爐,高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù),可實(shí)現(xiàn) 1200℃ 內(nèi)氧化退火工藝。
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1. 產(chǎn)品概述
FLOURIS 201系列 8英寸立式爐,高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù),可實(shí)現(xiàn) 1200℃ 內(nèi)氧化退火工藝。
2. 設(shè)備用途/原理
FLOURIS 201系列 8英寸立式爐,高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù),可實(shí)現(xiàn) 1200℃ 內(nèi)氧化退火工藝,先進(jìn)的顆粒控制技術(shù),優(yōu)良的膜厚均勻性控制技術(shù),圖形化操作界面和群組管理系統(tǒng)。
3. 設(shè)備特點(diǎn)
晶圓尺寸 8 英寸,適用材料 硅、碳化硅。適用工藝 高溫氧化、退火、常壓合金、Polyimide 固化。適用域 科研、化合物半導(dǎo)體、集成電路。百科:半導(dǎo)體立式爐?的原理主要涉及到半導(dǎo)體材料的熱處理過(guò)程,這一過(guò)程在半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要。立式爐的設(shè)計(jì)允許對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行精確的溫度控制和氣氛管理,從而促進(jìn)材料的特定化學(xué)反應(yīng),如外延生長(zhǎng)等。
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