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簡要描述:高密度等離子體刻蝕設(shè)備采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室,是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng),具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
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1. 產(chǎn)品概述
高密度等離子體蝕刻系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室,是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng),具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
2. 設(shè)備用途/原理
GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的高精度加工。SiC、SiO?的高速加工。蝕刻鐵電材料(PZT、BST、SBT、SBT)、電材料(Pt、Au、Ru、Al)和其他難以蝕刻的材料。複合式半導(dǎo)體晶片的等離子切割和薄型化。
3. 設(shè)備特點
新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"??筛咝Х€(wěn)定地應(yīng)用高射頻功率(2千瓦以上),并實現(xiàn)良好的均勻性。大流量排氣系統(tǒng)。排氣系統(tǒng)直接連接到反應(yīng)室,可以實現(xiàn)從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。下電升降機構(gòu)。晶片和等離子體之間的距離經(jīng)過優(yōu)化,以確保良好的平面內(nèi)均勻性。易于維護的設(shè)計。TMP(渦輪分子泵)集成在設(shè)備中,便于更換。
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