當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > RIE-200NLRIE等離子刻蝕系統(tǒng)
簡要描述:RIE-200NL是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng),它提高了工藝的可重復(fù)性,并允許腐蝕性氣體化學(xué)。優(yōu)化的工藝室設(shè)計可在ø8 “晶圓或ø220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。RIE-200NL設(shè)計時尚、緊湊,只需小的潔凈室空間。
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1. 產(chǎn)品概述
RIE-200NL是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng),它提高了工藝的可重復(fù)性,并允許腐蝕性氣體化學(xué)。優(yōu)化的工藝室設(shè)計可在?8 "晶圓或?220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。RIE-200NL設(shè)計時尚、緊湊,只需小的潔凈室空間。
2. 設(shè)備用途/原理
大加工范圍:?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)。對稱的排空設(shè)計提高了蝕刻的均勻性。工藝室通過負(fù)荷鎖定室與環(huán)境隔離,提高了工藝的可重復(fù)性,并可進行腐蝕性氣體的化學(xué)反應(yīng)。計算機觸摸屏為參數(shù)控制和存儲提供了一個用戶友好的界面。自動壓力控制,可精確控制工藝壓力,不受氣體流量影響。干式泵和系統(tǒng)布局便于維護。RIE-200NL設(shè)計時尚、緊湊,只需小的潔凈室空間。
3. 設(shè)備特點
GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的氯基蝕刻。各種材料的蝕刻,如Si、SiO2、SiN、Poly-Si、Al、Mo、Pt、Polyimide等。故障分析中的選擇性層蝕刻。
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