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簡(jiǎn)要描述:SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC搭載了高溫ESC(靜電吸附卡盤(pán))的面向SiC量產(chǎn)用的高能粒子注入裝置。
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1 產(chǎn)品概述:
SiC用高溫離子注入設(shè)備,如愛(ài)發(fā)科(Ulvac)公司推出的IH-860DSIC,是專(zhuān)為SiC功率器件工藝制程中離子注入和激活退火技術(shù)難題設(shè)計(jì)的專(zhuān)用設(shè)備。該設(shè)備搭載了高溫ESC(靜電吸附卡盤(pán)),能夠在高溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高能粒子的連續(xù)注入,有效解決了SiC晶圓在離子注入過(guò)程中易產(chǎn)生結(jié)晶缺陷的問(wèn)題。
2 設(shè)備用途:
SiC用高溫離子注入設(shè)備主要用于SiC功率器件(如SiC-SBD和SiC-MOSFET)的生產(chǎn)工藝中,特別是在離子注入和激活退火環(huán)節(jié)。通過(guò)該設(shè)備,可以實(shí)現(xiàn)高溫下的高能離子注入,控制注入離子的濃度和深度,從而改善SiC器件的物理特性、表面特性及電學(xué)特性。這對(duì)于提升SiC功率器件的性能和可靠性至關(guān)重要。
3 設(shè)備特點(diǎn)
高溫處理能力:設(shè)備能夠在500℃的高溫下進(jìn)行離子注入,有效控制SiC晶圓在注入過(guò)程中產(chǎn)生的結(jié)晶缺陷。
高能粒子注入:支持高能量的離子注入,如1價(jià)離子可注入至350keV(Option: 430keV),2價(jià)離子可注入至700keV(Option: 860keV),滿足SiC晶圓對(duì)注入能量的高要求。
高吞吐量:通過(guò)采用可調(diào)溫的靜電吸盤(pán)和雙工位系統(tǒng)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了晶圓在真空腔內(nèi)的連續(xù)更換和高溫處理,將吞吐量提升至30枚/小時(shí)(支持直徑為75mm-150mm的晶圓),滿足量產(chǎn)需求。
自動(dòng)化與智能化:設(shè)備具備自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入的功能,減輕了操作員的負(fù)擔(dān),同時(shí)提高了生產(chǎn)效率和一致性。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):
•可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入
•1價(jià)離子可注入至350keV、2價(jià)離子可注入至700keV
(Option:1價(jià)離子可注入至430keV、2價(jià)離子可注入至860keV)
•通過(guò)Dual-End-Station(雙工位)實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能;
(A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等,可配合客戶的希望就行規(guī)格配置)
•可減輕操作員的負(fù)擔(dān),緊湊式設(shè)計(jì)
•可大范圍對(duì)應(yīng)從試作到量產(chǎn)的各類(lèi)需求
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