當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 其他前道工藝設(shè)備 > 5 去膠設(shè)備 > NA-1300系列去膠設(shè)備
簡要描述:去膠設(shè)備NA-1300系列從關(guān)鍵的新世代晶圓制程到晶圓封裝,Luminous NA系列可對應(yīng)廣范圍的各類晶圓尺寸的各類工藝需求。
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1 產(chǎn)品概述:
去膠設(shè)備通過不同的技術(shù)和方法去除物體表面的雜質(zhì)。在電子行業(yè)中,等離子去膠機(jī)是一種先進(jìn)的去膠設(shè)備,它利用等離子體中的高能粒子對光刻膠進(jìn)行轟擊,使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理剝離,從而實(shí)現(xiàn)去除光刻膠的目的。等離子去膠機(jī)通常包括反應(yīng)室、等離子體發(fā)生器、控制系統(tǒng)和真空系統(tǒng)等關(guān)鍵部件。
2 設(shè)備用途:
去膠設(shè)備的用途廣泛,特別是在電子、汽車、化工、建筑等多個領(lǐng)域。在電子行業(yè)中,去膠設(shè)備主要用于:
半導(dǎo)體制造:去除硅基半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體表面的光阻灰化、高劑量離子注入后的光刻膠殘留、晶圓表面的殘膠和污染物等。
晶圓級封裝:在晶圓級封裝的前處理工藝中,去除晶圓表面的污染物和雜質(zhì),提高封裝質(zhì)量。
電路板制造:去除印刷電路板表面的膠層,提高電路板的精度和可靠性。
3 設(shè)備特點(diǎn)
高效性:等離子去膠機(jī)去膠速度較快,可以在較短的時間內(nèi)完成大量樣品的處理,提高生產(chǎn)效率。
環(huán)保性:相比化學(xué)去膠方法,等離子去膠機(jī)不需要使用有害的化學(xué)試劑,處理過程中不會產(chǎn)生有毒廢物,對環(huán)境的影響較小。
可控性:通過調(diào)節(jié)等離子體的參數(shù)(如功率、氣壓、氣體種類等),可以精確控制去膠的速度和效果,滿足不同工藝需求。
兼容性:等離子去膠機(jī)適用于各種類型的光刻膠和底層材料,且對底層材料的損傷較小。
集成性:可以與其他等離子體工藝(如等離子體清洗、等離子體蝕刻等)集成在同一設(shè)備中,實(shí)現(xiàn)全自動化生產(chǎn),提高生產(chǎn)效率。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):
次世代晶圓工藝必須的 1 x 1016atoms/cm2以上離子注入剝離工藝、PI去除工藝中,可實(shí)現(xiàn)低顆粒工藝。
添加F系氣體工藝適合的腔體構(gòu)成,可對應(yīng)低顆粒需求。因此,從普通PR到離子注入剝離、有機(jī)膜剝離(PI,DFR等)、氧化膜刻蝕等
非常廣泛的工藝均可對應(yīng)。
采用簡單的設(shè)備構(gòu)成可同時實(shí)現(xiàn)“維修性·信賴性"。
有彈性的腔體構(gòu)成選擇(μ波、RIE、μ波+RIE),可實(shí)現(xiàn)豐富的搬送路經(jīng)。
僅設(shè)定工藝菜單即可切換晶圓尺寸,晶圓尺寸容易實(shí)現(xiàn)。
道后端工藝的離子注入剝離工藝(1 x 1016atoms/cm2以上)的PI除去
添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)
芯片封裝的BUMP工藝
CCD顏色過濾膜的制造工藝
添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)
芯片封裝的BUMP工藝
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