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超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)

簡要描述:產(chǎn)品概述:
超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)由真空腔室(外延室、進樣室)、樣品傳遞機構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、抽氣系統(tǒng)、真空測量、工作氣路、電控系統(tǒng)、計算機控制等各部分組成。
設備用途:
脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION,簡稱PLD)是新近發(fā)展起來的一項技術(shù),繼20世紀80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導薄膜之后,它的優(yōu)點和潛力逐漸被人們認識和重視。

  • 產(chǎn)品型號:LMBE450
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-05
  • 訪  問  量: 302

詳細介紹

1.產(chǎn)品概述:

系統(tǒng)由真空腔室(外延室、進樣室)、樣品傳遞機構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、抽氣系統(tǒng)、真空測量、工作氣路、電控系統(tǒng)、計算機控制等各部分組成。

2.設備用途:

脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION,簡稱PLD)是新近發(fā)展起來的一項技術(shù),繼20世紀80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導薄膜之后,它的優(yōu)點和潛力逐漸被人們認識和重視。該項技術(shù)在生成復雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結(jié)果。與常規(guī)的沉積技術(shù)相比,脈沖激光沉積的過程被認為是“化學計量"的過程,因為它是將靶的成分轉(zhuǎn)換成沉積薄膜,非常適合于沉積氧化物之類的復雜結(jié)構(gòu)材料。當脈沖激光制備技術(shù)在難熔材料及多組分材料(如化合物半導體、電子陶瓷、超導材料)的精密薄膜,顯示出了誘人的應用景。

3.真空室:

真空室結(jié)構(gòu):球形開門雙室

真空室尺寸:鍍膜室尺寸:Ф450mm ;進樣室尺寸:Ф150x300mm

限真空度:鍍膜室≤6.0E-8Pa;進樣室:≤6.0E-5Pa

沉積源:φ2英寸靶材,4個;或φ1英寸靶材,6個

樣品尺寸,溫度:φ2英寸,1片,高800℃

占地面積(長x寬x高):約2.8米x1.3米x1.9米

電控描述:部分電動控制

特色參數(shù) :配備高能電子衍射儀、氧等離子體發(fā)生器






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