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簡要描述:高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機臺等部分組成,體現(xiàn)立方整體外觀,適用于超凈間間壁隔離安裝,操作面板一端處在相對要求較高超凈環(huán)境,其余部分(含低溫泵抽系統(tǒng))處在相對要求較低超凈環(huán)境。
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1.產(chǎn)品概述:
高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機臺等部分組成,體現(xiàn)立方整體外觀,適用于超凈間間壁隔離安裝,操作面板一端處在相對要求較高超凈環(huán)境,其余部分(含低溫泵抽系統(tǒng))處在相對要求較低超凈環(huán)境。
2.設(shè)備用途:
高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)配有一套電子槍及電源,可滿足在Al,Ni,Ag,Pt,Pd,Mo,Cr和Ti等多種金屬和介質(zhì)膜基片上均勻沉積多層膜的需要。
該系統(tǒng)的主要功能是利用電子束蒸發(fā)技術(shù)在基片上沉積各種薄膜材料。
3.產(chǎn)品優(yōu)勢:
限真空度高:能夠達到≤6.×10^-5 Pa,這有助于減少薄膜制備過程中的雜質(zhì)和氣體干擾,提高薄膜質(zhì)量。
電子槍功率可調(diào)范圍大:電子槍功率 0—10kW 可調(diào),可以滿足不同材料蒸發(fā)和薄膜沉積的需求,適應(yīng)多種工藝條件。
配備水冷式坩堝:4 穴坩堝,每個容量不少于一定數(shù)值(具體容量可能因型號而有所不同),可容納多種材料同時蒸發(fā)。
樣品臺性能優(yōu)良:可容納較大尺寸的樣品,并且能夠加熱至較高溫度(具體溫度可能因型號而有所不同),轉(zhuǎn)速可在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié),滿足不同實驗需求。
具備精確的膜厚監(jiān)測儀:彩色 LCD 顯示屏,提供英文或中文版本,設(shè)有“quick setup"(快速設(shè)定)菜單、多個區(qū)分上下文按鈕以及簡便的參數(shù)設(shè)定旋鈕,易于設(shè)定和操作,且測量速率和分辨率較高,存儲容量大,能夠使用單傳感器或多傳感器監(jiān)控源材料,提供精確的源分布監(jiān)控,有利于實現(xiàn)對薄膜沉積過程的精確控制和質(zhì)量監(jiān)測。
包含金屬蒸發(fā)源組件:可提供多套蒸發(fā)電源,大輸出功率滿足一定要求(如 1.8kW,電壓 6V,電流×A),有助于提高薄膜沉積的效率和穩(wěn)定性。
擁有較高的分子泵抽速:≥×l/s,能夠快速有效地抽取真空室內(nèi)的氣體,維持高真空環(huán)境。
其他方面:可能還具有良好的設(shè)備穩(wěn)定性、可靠性,以及完善的售后及質(zhì)保服務(wù)等。
4.產(chǎn)品參數(shù):
真空室結(jié)構(gòu):U形開門
真空室尺寸:900×900×1100mm
限真空度:≤6.0E-5Pa
沉積源:6個40cc坩堝
樣品尺寸,溫度:φ4英寸,26片,高300℃
占地面積(長x寬x高):約3.5米x3.9米x2.1米
電控描述:全自動
工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤±3%
特色參數(shù) :樣品尺寸及數(shù)量可定制,工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根據(jù)用戶基片尺寸設(shè)計工件架
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