Beneq TFS 200 是有史以來(lái)最靈活的原子層沉積研究平臺(tái)，專為學(xué)術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計(jì)。Beneq TFS 200 經(jīng)過(guò)專門(mén)設(shè)計(jì)，可最大限度地減少多用戶研究環(huán)境中可能發(fā)生的任何交叉污染。大量的可用選項(xiàng)和升級(jí)意味著您的 Beneq TFS 200 將與您一起擴(kuò)展，以滿足的研究要求。

Beneq TFS 200 代表了能夠在晶圓、平面物體、多孔散裝材料和縱橫比 （HAR） 特性的復(fù)雜 3D 物體上沉積優(yōu)質(zhì)涂層的技術(shù)解決方案。

直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)沉積 （PEALD） 是 Beneq TFS 200 的標(biāo)準(zhǔn)選件。等離子體是電容耦合 （CCP），這是當(dāng)今的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。CCP 等離子選件為高達(dá) 200 毫米的基板提供直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng) ALD （PEALD），正面朝上或面朝下。

• 處理周期時(shí)間通常小于 2 秒。在特定情況下甚至不到 1 秒

• 高縱橫比 （HAR） 可用于具有通孔和多孔基板的結(jié)構(gòu)

• 用于快速加熱和冷卻的冷壁真空室

• 真空室中的輔助入口可實(shí)現(xiàn)等離子體、原位診斷等。

• 負(fù)載鎖定可用于快速更換基板并與其他設(shè)備集成。