簡要描述:提供大面積刻蝕與沉積的量產型解決方案,LED工業(yè)要求高產量,高器件質量和低購置成本。 PlasmaPro 1000更好地解決了這些需求。
產品分類
Product Category詳細介紹
1.產品概述:
提供大面積刻蝕與沉積的量產型解決方案,LED工業(yè)要求高產量,高器件質量和低購置成本。PlasmaPro1000更好地解決了這些需求。
2.設備原理:
PECVD技術是在低氣壓下,利用低溫等離子體在工藝腔體的陰上(即樣品放置的托盤)產生輝光放電,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的工藝氣體,這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應,終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
3.產品特點:
真更大的批量生產能力
高產量
更穩(wěn)定的器件質量
低購置成本
提供單晶圓傳送腔室或者多至三個腔室的集群式配置
標準的真空傳送腔室,具有直開式和集群式選項
出色的正常運轉時間
高質量器件性能和良率藝
4.設備工藝
490mm電-更為先進的批量規(guī)模,多達7x6"晶圓,提供了更高的產量
可靠的硬件系統(tǒng)易維護性-出色的正常運轉時間
壓盤-增強晶圓冷卻
Z向可移動電-更好的均勻性
雙進氣口-易于工藝調整
特殊的載盤設計-每片晶圓在小的邊緣去除區(qū)域之內,均獲得有效的冷卻,且易于使用和維護
高導通的徑向(軸對稱)抽氣結構-確保提升了工藝均勻性和速率
提供大面積刻蝕與沉積的量產型解決方案,LED工業(yè)要求高產量,高器件質量和低購置成本。PlasmaPro1000更好地解決了這些需求。
490mm電-更為先進的批量規(guī)模,多達7x6"晶圓,提供了更高的產量
可靠的硬件系統(tǒng)易維護性-出色的正常運轉時間
壓盤-增強晶圓冷卻
Z向可移動電-更好的均勻性
雙進氣口-易于工藝調整
特殊的載盤設計-每片晶圓在小的邊緣去除區(qū)域之內,均獲得有效的冷卻,且易于使用和維護
高導通的徑向(軸對稱)抽氣結構-確保提升了工藝均勻性和速率
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