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當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 4 外延系統(tǒng) > Epiluvac ER3-C1SiC分子外延系統(tǒng)
簡(jiǎn)要描述：Epiluvac 產(chǎn)品通常作為完整的系統(tǒng)交付，包括反應(yīng)器模塊、氣體輸送系統(tǒng)、過程控制、安全系統(tǒng)、安裝和調(diào)試。每個(gè)系統(tǒng)在發(fā)貨前都經(jīng)過廣泛的測(cè)試，一旦安裝，交付還包括所有必要的客戶操作和維護(hù)培訓(xùn)。
產(chǎn)品型號(hào)：Epiluvac ER3-C1廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2024-09-05訪 問 量： 208產(chǎn)品分類
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Epiluvac ER3-C1
晶圓直徑可達(dá) 200 mm （8“）
通過熱壁拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)出色的均勻性
優(yōu)良的動(dòng)態(tài)氣體流量控制，可實(shí)現(xiàn)佳生長(zhǎng)速率和摻雜均勻性。
具有多個(gè)加熱區(qū)的出色溫度曲線
不含石英，適用于氯化工藝
在清潔的惰性氣氛中進(jìn)行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長(zhǎng)石墨部件的使用壽命
模塊化設(shè)計(jì)，兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)反應(yīng)器組成集群配置。每個(gè)反應(yīng)器都針對(duì)特定的生長(zhǎng)步驟進(jìn)行了優(yōu)化
在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進(jìn)行晶圓運(yùn)輸
高達(dá) 1800 °C
適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)
Epiluvac EPI 1000-C：
熱壁 CVD 具有出色的均勻性
大 150 mm 基板直徑
單晶圓和手動(dòng)裝載
非常適合研發(fā)
Epiluvac ER3-N1：
上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本
可選的原位監(jiān)測(cè)
獲得利的溫度控制，可大限度地減少晶圓彎曲
Epiluvac ER3-C1：
晶圓直徑可達(dá) 200 mm （8“）
通過熱壁拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)出色的均勻性
優(yōu)良的動(dòng)態(tài)氣體流量控制，可實(shí)現(xiàn)佳生長(zhǎng)速率和摻雜均勻性。
具有多個(gè)加熱區(qū)的出色溫度曲線
不含石英，適用于氯化工藝
在清潔的惰性氣氛中進(jìn)行熱晶圓裝載/卸載可大限度地減少顆粒污染并延長(zhǎng)石墨部件的使用壽命
模塊化設(shè)計(jì)，兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)反應(yīng)器組成集群配置。每個(gè)反應(yīng)器都針對(duì)特定的生長(zhǎng)步驟進(jìn)行了優(yōu)化
在受控環(huán)境中在反應(yīng)器之間進(jìn)行晶圓運(yùn)輸
高達(dá) 1800 °C
適用于中小批量生產(chǎn)和研發(fā)
Epiluvac EPI 1000-C：
熱壁 CVD 具有出色的均勻性
大 150 mm 基板直徑
單晶圓和手動(dòng)裝載
非常適合研發(fā)
Epiluvac ER3-N1：
上述ER3-C1系統(tǒng)的GaN版本
可選的原位監(jiān)測(cè)
獲得利的溫度控制，可大限度地減少晶圓彎曲
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