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接觸角測(cè)試儀 技術(shù)參數(shù)： 1. 光學(xué)成像系統(tǒng)：基礎(chǔ)照度0.001Lux、水平600線工業(yè)級(jí)黑白相機(jī)，放大倍率0.7~4.5X 2. 進(jìn)樣系統(tǒng)：基礎(chǔ)進(jìn)樣量可控制為70pL，可自動(dòng)進(jìn)液 3. 樣品臺(tái)移動(dòng)控制：X-Y 100*100mm（可定做）, Z 25mm 4. 樣品臺(tái)尺寸：100*100mm（可定做）技術(shù)參數(shù)

傅里葉紅外光譜儀 一、應(yīng)用：用于半導(dǎo)體材料內(nèi)部含量檢測(cè),同質(zhì)外延厚度測(cè)量和其他應(yīng)用，用于*進(jìn)的半導(dǎo)體工廠，在硅生長(zhǎng)和器件制造領(lǐng)域進(jìn)行材料表征 二、技術(shù)參數(shù)： 1.光譜范圍：遠(yuǎn)紅外、中紅外、近紅外、可見(jiàn)光 2. 信噪比：55000:1 3.光譜分辨率（cm-1）：0.09電阻率: 1.0μ - 300.0k Ω.cm

四探針電阻率測(cè)試儀的應(yīng)用：半導(dǎo)體材料、太陽(yáng)能電池材料(硅、多晶硅、碳化硅等)，新材料、功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、Ag納米線等)、導(dǎo)電薄膜(金屬、離子等)，擴(kuò)散層，硅相關(guān)外延材料，離子注入樣品。

冷熱沖擊試驗(yàn)箱 技術(shù)參數(shù)： 1. 溫度范圍：周圍環(huán)境溫度+50 +200℃ -70~0℃ 3溫區(qū) 2. 高溫曝露到+200℃：15分鐘以內(nèi) 3. 常溫曝露：5分鐘 4. 低溫曝露：-65℃15分鐘

高低溫(濕熱) 試驗(yàn)箱 產(chǎn)品概述： 1. 新型冷凍機(jī)的使用，實(shí)現(xiàn)了大范圍、高精度的溫濕度控制 2. 40 模式可編程控制器、具有多種語(yǔ)言選擇、試驗(yàn)數(shù)據(jù)U 盤存儲(chǔ) 3.故障追溯功能、試驗(yàn)箱發(fā)生故障之前的運(yùn)行狀態(tài)會(huì)被自動(dòng)記錄并保存

立式高溫試驗(yàn)箱簡(jiǎn)述：滿足各種產(chǎn)品、零部件及材料在高溫恒溫環(huán)境下貯存、運(yùn)輸、使用時(shí)間適應(yīng)性試驗(yàn)要求。采用定值和程序兩種控制。定值控制可進(jìn)行自動(dòng)開(kāi)始結(jié)束設(shè)定，適合于生產(chǎn)線熱處理干燥處理。程序控制可進(jìn)行10個(gè)模式，每個(gè)模式20步的程序設(shè)定。滿足有溫度上升、下降斜率設(shè)定的溫度特性試驗(yàn)。