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等離子蝕刻系統(tǒng) Etchlab 200 具有經(jīng)濟(jì)高效的 RIE 直接加載的優(yōu)點(diǎn)。 SENTECH Etchlab 200 RIE等離子蝕刻系統(tǒng)代表了一系列直接加載等離子蝕刻工具，結(jié)合了RIE平行板電極設(shè)計的優(yōu)點(diǎn)和具有成本效益的直接加載設(shè)計。該系統(tǒng)的特點(diǎn)是簡單快速地將樣品從零件加載到直徑為 200 mm 或 300 mm 的晶圓上，直接加載到電極或載體上。靈活性、模塊化和占地面積小是 SENTEC

SENTECH SI 500 ICP-RIE等離子體蝕刻系統(tǒng)使用具有低離子能量的電感耦合等離子體 （ICP） 源，可實(shí)現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

SI 500 C 代表了專為低溫蝕刻而設(shè)計的電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿。SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿技術(shù)，其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態(tài)溫控基板電極、一個受控的真空系統(tǒng)和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是

ALE是一種先進(jìn)的刻蝕技術(shù)，可以針對較淺的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行出色的深度控制。 隨著器件微結(jié)構(gòu)尺寸越來越小，要達(dá)到器件的更高性能可以通過ALE技術(shù)所具有的精度來實(shí)現(xiàn)。 在如今的先進(jìn)微電子器件制造中，高保真度的圖案轉(zhuǎn)移（刻蝕）是至關(guān)重要的。隨著特征尺寸縮小至亞10納米級別，以及新型器件采用超薄的二維材料，對原子尺度保真度的需求不斷增加。 原子層刻蝕(ALE)技術(shù)克服了傳統(tǒng)（連續(xù)）刻蝕技術(shù)在原子尺度上的局限

新型 Lancer™ 離子束蝕刻 （IBE） 系統(tǒng)專為開發(fā)和生產(chǎn)智能手機(jī)、自動駕駛汽車和其他可實(shí)現(xiàn)連接性、功能性和移動性的“物聯(lián)網(wǎng)”設(shè)備中的下一代電子設(shè)備而設(shè)計。

對應(yīng)光學(xué)器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700 對應(yīng)光學(xué)器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的量產(chǎn)用干法刻蝕裝置。（可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度、高密度的等離子）