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RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設(shè)備,可處理多達(dá)ø350毫米的載盤,用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應(yīng)用提供了堅(jiān)固可靠的硬件和工藝控制,具有較高的生產(chǎn)率,如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、電容器和射頻濾波器。
高密度等離子體刻蝕設(shè)備系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室,是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng),具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備,用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH(德國(guó))授權(quán),能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進(jìn)行高速和高各向異性蝕刻。
Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備,使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是為Bosch工藝設(shè)計(jì)的用硅蝕刻系統(tǒng)(由Robert Bosch GmbH授權(quán))。該系統(tǒng)的反應(yīng)室、電、平臺(tái)和真空設(shè)計(jì)克服了在競(jìng)爭(zhēng)系統(tǒng)中遇到的問(wèn)題,可實(shí)現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無(wú)傾斜、高剖面蝕刻,具有行業(yè)先的
RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高縱橫比處理(超過(guò)100)和低扇形處理,同時(shí)保持高蝕刻率和選擇性。