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RIE-200C RIE等離子刻蝕設(shè)備是在擁有豐富交貨業(yè)績(jī)的CCP RIE系統(tǒng) “RIE-10NR “的基礎(chǔ)上開發(fā)的量產(chǎn)型盒式裝載系統(tǒng)。該系統(tǒng)可對(duì)Si、Poly-Si、SiO?、SiN等各種硅薄膜進(jìn)行高精度蝕刻和灰化。采用雙盒雙臂機(jī)械手，PLC控制全自動(dòng)操作，高性能存儲(chǔ)工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量。

RIE-200NL是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)，它提高了工藝的可重復(fù)性，并允許腐蝕性氣體化學(xué)。優(yōu)化的工藝室設(shè)計(jì)可在ø8 “晶圓或ø220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。RIE-200NL設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊，只需小的潔凈室空間。

高密度等離子體刻蝕設(shè)備采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。

RIE-10NR是一種新型的低成本、高性能的全自動(dòng)RIE等離子刻蝕設(shè)備，它能滿足非腐蝕性氣體化學(xué)苛刻的工藝要求。計(jì)算機(jī)化的觸摸屏為參數(shù)控制和存儲(chǔ)提供了一個(gè)用戶友好的界面。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料間的高蝕刻選擇性。RIE-10NR具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，需要小的潔凈室空間。

RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風(fēng)式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，可對(duì)硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進(jìn)行高精度的各向異性蝕刻。

RIE-230iPC是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的盒式ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風(fēng)式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，實(shí)現(xiàn)了對(duì)硅、各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體的高精度各向異性蝕刻。此外，ø230mm的托盤可同時(shí)處理多種化合物半導(dǎo)體。